科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107799599A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201710813983.4
发明设计人 段宝兴;董自明;杨银堂;
申请日2017-09-11
分类号
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-06-19 04:46:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-04-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20170911
实质审查的生效
2018-03-13
公开
机译: 具有平行横向双扩散MOS晶体管和横向绝缘栅晶体管的半导体开关
机译: 具有横向双扩散MOSFET晶体管和CMOS晶体管的半导体器件,该晶体管具有轻掺杂的源极
机译: 具有具有轻掺杂源极的横向双扩散MOSFET晶体管和CMOS晶体管的半导体器件的制造方法
机译:消除低掺杂埋层的绝缘子上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的背栅偏置效应的优化设计
机译:优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件的栅极到漂移的重叠长度,以提高热载流子的寿命
机译:绝缘体上硅上的横向双扩散金属氧化物半导体的漂移区中的薄层氧化物:一种新型器件结构,可实现可靠的高温功率晶体管
机译:折叠累积横向双扩散晶体管具有低特异性电阻的折叠累积横向双扩散晶体管
机译:功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中的总电离剂量效应。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:项目sQUID。火焰的电性能。 1.文学研究。 2.燃烧器火焰在纵向电场。 3.燃烧器火焰在横向电场