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双极晶体管导通状态对功率纵向双扩散MOSFET静态电流-电压特性的影响

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摘要

通过对VDMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析 , 发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响.可以来用一种新型的具有浅扩散p +区的自对准VDMOS结构,以完全消除寄生的BJT导通机制,这对MOS技术的发展十分有益 .

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来源
《辽宁大学学报（自然科学版）》|2001年第4期|336-339348|共5页
作者
高嵩;
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作者单位

辽宁大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按结构和性能分;
关键词
功率纵向双扩散MOSFET; 双极晶体管; 电流-电压特性;

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