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一种3um P阱CMOS兼容纵向PNP晶体管β的研究

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在3umP阱CMOS兼容纵向PNP管工艺研制过程中,在众多工艺参数中发现纵向PNP晶体管电流放大系数β相关性最强的是作为纵向PNP管集电极的P阱注入剂量,在允许的P阱注入剂量变化范围中与纵向PNP晶体管电流放大系数有正相关的特点.

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来源
《中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会》|2002年|132-136|共5页
会议地点合肥
作者
谭开洲; 司琴; 李儒章; 严顺炳;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类线性集成电路、模拟集成电路;
关键词
纵向PNP晶体管; P阱CMOS工艺; 电流放大系数; 集成电路;

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