自由集电极电位纵向PNP晶体管的制作工艺研究

摘要

自由集电极电位纵向PNP器件是双极型集成电路工艺中的一种重要器件,具有较大的放大倍数,较高工作特征频率等特点,但按照正常双极工艺制作的纵向晶体管存在基区宽度难以控制、集电极电阻偏大等问题.通过采用N阱技术和双层外延技术,不仅可以增强器件制作工艺的可控性,而且可大大减小纵向晶体管的集电极电阻,从而提高器件的输出功率.