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谭开洲; 张正; 舒辉然;
电子工业部第24研究所;
SCCD; 延迟积分器; CMOS工艺; 集成电路;
机译:采用注入p阱工艺的6H-SiC单片CMOS数字集成电路
机译:使用集成电路兼容工艺的单壁碳纳米管薄膜的生长及其作为n型场效应晶体管器件的图案化
机译:通过兼容CMOS的自对准工艺提高可扩展隧道型场效应晶体管的电流驱动能力
机译:1µm CMOS技术中的N阱和p阱工艺兼容性
机译:CMOS兼容高压集成电路。
机译:CMOS兼容工艺制造的硅纳米线中塞贝克系数的特性
机译:用于CmOs缩放的CmOs兼容快速气相掺杂工艺
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:具有与深亚微米CMOS工艺兼容的侧面双极型晶体管的半导体集成电路及其制造方法
机译:直接转换接收器使用采用深n阱CMOS工艺实现的垂直型双极结型晶体管
机译:形成双阱CMOS集成电路的工艺
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