首页> 中文期刊> 《微电子学》 >n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺

n阱CMOS与n型表沟CCD兼容的集成电路工艺

         

摘要

本文介绍并讨论了一种n阱CMOS与n沟SCCD兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器,工作电压为15~18V,采样频率达1.3MHz。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号