深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置

摘要

本发明提供一种深刻蚀切割道倒装LED芯片及制备方法、LED显示装置，属于LED芯片领域。包括：清洗LED外延片，外延片衬底上依次包括n‑GaN层、量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层和p电极接触层；光刻外延片形成周期性分布的平台图形，得到LED芯片预设尺寸和形状、切割道及用于制备n电极的圆孔图案，刻蚀圆孔至n‑GaN层；在p电极接触层上蒸镀ITO电流扩展层；深刻蚀切割道至衬底表面；在ITO电流扩展层上表面、外延片侧壁及圆孔内壁蒸镀SiO2钝化层，清洗圆孔底部和p电极接触层的SiO2钝化层；在圆孔内蒸镀n电极层，在n电极层上蒸镀反射层，在ITO电流扩展层上蒸镀p电极层；研磨减薄衬底，沿着切割道采用激光划片，用裂片机沿着切割道裂片。本发明增加了倒装结构LED芯片的抗静电水平。