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干法蚀刻设备及蚀刻方法

摘要

本发明所提供的干法蚀刻设备包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔,所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻,所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。本发明所提供的干法蚀刻方法:将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内;向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质,以对所述待加工产品进行蚀刻;将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔;向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质,以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子本发明解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响,大大提升产品良率,提高生产效率,并延长了设备保养周期。

著录项

  • 公开/公告号CN107301967A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201710556671.X

  • 发明设计人 方亮;肖文欢;

    申请日2017-07-10

  • 分类号

  • 代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李庆波

  • 地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

  • 入库时间 2023-06-19 03:38:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/67 申请公布日:20171027 申请日:20170710

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-11-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20170710

    实质审查的生效

  • 2017-10-27

    公开

    公开

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