公开/公告号CN107083540A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-22
原文格式PDF
申请/专利权人 大连理工大学;
申请/专利号CN201710252532.8
申请日2017-04-18
分类号C23C16/34(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/26(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构21200 大连理工大学专利中心;
代理人温福雪;侯明远
地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
入库时间 2023-06-19 03:12:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-16
授权
授权
2017-09-15
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20170418
实质审查的生效
2017-08-22
公开
公开
机译: 用于垂直结构氮化物基半导体发光器件的氮化物基化合物层的制造涉及从氮化镓衬底上的缓冲层到掩模层横向生长氮化物基化合物。
机译: 半导体衬底上大面积氮化镓或其他氮化物基结构的应力补偿
机译: 半导体衬底上大面积氮化镓或其他氮化物基结构的应力补偿