一种通过离子注入Zn+控制ZnO单晶中缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种通过离子注入Zn+来控制ZnO单晶中缺陷的方法，该方法通过离子注入将Zn+注入ZnO单晶中以控制缺陷，具体为将ZnO单晶清洗、烘干，采用离子注入机将Zn+注入ZnO单晶中，再在氮气保护下采用快速退火处理5min，退火温度为650～750℃，冷却后取出ZnO单晶样品。采用本发明的方法可以有效控制ZnO单晶中缺陷的类型和浓度，以供更好地进行ZnO缺陷定性研究，该方法控制缺陷稳定，重复性好，可控性强。