机译:用卢瑟福反向散射表征锗离子注入的ZnO块状单晶中的晶格缺陷:低电阻率的起源
College of Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584 Japan;
College of Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584 Japan;
College of Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584 Japan;
College of Engineering and Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584 Japan;
Departments of Arts and Sciences, Osaka Kyoiku University Kashiwara, Osaka 582-8582, Japan;
机译:通过卢瑟福背散射研究评估硅离子注入的ZnO块状单晶中的锌间隙:低电阻率的起源
机译:氢离子注入ZnO块状单晶的卢瑟福背散射和核反应分析
机译:Al离子注入ZnO块状单晶中低电阻率的起因
机译:GE离子植入ZnO散装单晶低电阻率和GE供体水平的起源
机译:使用原子序数对比扫描透射电子显微镜和卢瑟福背散射光谱技术对硒化镉纳米晶体系统进行原子能级表征。
机译:关于氧化钇稳定的纳米晶氧化锆牙科种植体基台的整体降解:电子背散射衍射研究
机译:N,O和N,Zn注入的ZnO块状晶体中的缺陷