公开/公告号CN106356712A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201610894091.7
发明设计人 万雄;
申请日2016-10-13
分类号H01S5/06;H01S5/10;H01S5/20;H01S5/34;
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2023-06-19 01:25:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/06 申请日:20161013
实质审查的生效
2017-01-25
公开
公开
机译: 双异质结构晶片和双异质结型半导体激光器件
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 包含中间同质结的双异质结激光器