公开/公告号CN206412632U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201621120181.2
发明设计人 万雄;
申请日2016-10-13
分类号
代理机构上海新天专利代理有限公司;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-22 02:51:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-15
授权
授权
机译: 双异质结构晶片和双异质结型半导体激光器件
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 包含中间同质结的双异质结激光器