公开/公告号CN106098778A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡宏纳科技有限公司;
申请/专利号CN201610540169.5
发明设计人 吕耀安;
申请日2016-07-08
分类号H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;
代理机构无锡华源专利商标事务所(普通合伙);
代理人聂汉钦
地址 214000 江苏省无锡市新区清源路20号太湖国际科技园传感网大学科技园立业楼D区一楼
入库时间 2023-06-19 00:50:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-12
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20161109 申请日:20160708
发明专利申请公布后的撤回
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160708
实质审查的生效
2016-11-09
公开
公开
机译: 在双多晶硅栅中掺杂p型杂质离子并使用该方法形成双多晶硅栅的方法
机译: 在双多晶硅栅中注入p型离子杂质的方法和使用该方法制造双多晶硅栅的方法
机译: 形成p型多晶硅栅的方法和使用该方法制造双多晶硅栅的方法