公开/公告号CN105895672A
专利类型发明专利
公开/公告日2016-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市中镓半导体科技有限公司;
申请/专利号CN201510038542.2
申请日2015-01-26
分类号H01L29/20(20060101);H01L33/32(20100101);H01L21/02(20060101);
代理机构
代理人
地址 523518 广东省东莞市企石镇科技工业园
入库时间 2023-06-19 00:20:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/20 申请日:20150126
实质审查的生效
2016-08-24
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 氮化镓基半导体电子器件的制造方法,外延基板以及氮化镓基半导体电子器件
机译: 氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的