一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法

摘要

本发明公开了一种防止蚀刻机台做薄片工艺糊胶的蚀刻方法，该方法的原理是通过将蚀刻加工的总时间分为若干次短时间的蚀刻加工，并再每一次短时间的蚀刻加工完成后增加氦气冷却步骤，使晶片(wafer)表明温度不会达到糊胶的温度从而解决薄片糊胶的问题，只要每次短时间的蚀刻加工时间加起来和需要蚀刻加工的总时间一致，则不会影响晶片(wafer)的蚀刻结果。该方法在不改造机台，不增加成本的基础上，能够防止薄片工艺出现糊胶，同时兼容厚片和薄片加工，操作简单，使用方便。