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机译:一种利用自限制循环方法的选择性GaN蚀刻工艺的XPS研究
Univ Grenoble Alpes CEA LETI F-38000 Grenoble France;
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Plasma etching; XPS studies; HEMT; ALE process; AlGaN/GaN heterostructure; Plasma induced degradations;
机译:通过使用O2和BCL3等离子体的原子层蚀刻来损坏和自限制(AL)GaN蚀刻工艺
机译:正统缺陷选择刻蚀在研究GaN单晶,外延层和器件结构中的应用
机译:远程氢等离子体在Ge基器件的选择性处理中的应用:结晶,蚀刻和金属化
机译:镍选择性蚀刻研究GE和SiGe基设备中的自对准硅化物过程
机译:GaN纳米线制造和单光子发射器装置应用的蚀刻工艺
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:GaN的锥形侧壁干蚀刻工艺及其在器件制造中的应用
机译:用于高级器件应用的器件质量GaN和其他III族氮化物 - 介电接口的等离子体处理。