形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管

摘要

本发明提供一种形成在氮化物半导体基板上的肖特基势垒二极管。虽然当在成为HEMT的电子传输层的第一氮化物半导体层(6)与成为电子供给层的第二氮化物半导体层(8)被层叠的基板的表面上形成进行肖特基接触的阳极电极(22)与进行欧姆接触的阴极电极(20)时，会得到SBD，但是漏电流较大且耐压较低。在阳极电极(22)上，第二氮化物半导体层(8)直接接触的区域与隔着第四氮化物半导体区域(12b)和第三氮化物半导体区域(10b)而与第二氮化物半导体层(8)接触的区域混合存在。通过将第四氮化物半导体区域(12b)设为p型从而能够抑制漏电流。通过将与第二氮化物半导体层(8)相比带隙较大的氮化物半导体用于第三氮化物半导体区域(10b)，从而能够将使正向电流流通的正向电压的最低值抑制为较低。