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シリコン基板上の窒化物半導体パワートランジスタ

机译:硅基板上的氮化物半导体功率晶体管

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摘要

窒化物半導体は、低損失な次世代パワートランジスタとして実用化への期待rnが高まっています。ここでは、高い閾電圧制御性を有する窒化物半導体パワrnートランジスタについて紹介します。
机译:氮化物半导体有望作为低损耗的下一代功率晶体管投入实际使用。在这里,我们将介绍具有高阈值电压可控制性的氮化物半导体功率晶体管。

著录项

  • 来源
    《OHM》 |2010年第3期|p.8-9|共2页
  • 作者单位

    NEC ナノエレクトロニクス研究所;

    NEC ナノエレクトロニクス研究所;

    NEC ナノエレクトロニクス研究所;

    NEC ナノエレクトロニクス研究所;

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