机译:在图案化基板上生长的氮化物化合物半导体的微观结构性质和缺陷演化:透射电子显微镜研究
机译:图案化蓝宝石衬底上生长的GaN的微结构性质和位错演化:透射电子显微镜研究
机译:透射电子显微镜研究在锥形图案化的Al2O3衬底上生长的GaN膜的微观结构特性和位错特征。
机译:通过分子束外延生长在Si(110)衬底上生长的AlN薄层的微观结构特征:透射电子显微镜研究
机译:图案化衬底上生长的氮化物化合物半导体的微观结构特性和缺陷演化:透射电子显微镜研究
机译:在变质硅锗衬底上生长的III-V族化合物半导体材料的电子缺陷,可用于光伏应用。
机译:(001)-和(111)-SrTiO3衬底上生长的多铁性LaFeO3-YMnO3多层膜的显微结构表征
机译:通过透射电子显微镜通过透射电子显微镜在(001) - 和(111)-SRTIO3基板上生长的多二二二二二二二二二二二二聚体的微观结构表征
机译:电子显微镜研究潜在的1-eV带隙半导体化合物ZnGeas2和Zn3as2由mOVpE生长:预印。