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立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法

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摘要

本发明公开了一种立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法，包括如下步骤：将真空系统的高真空度腔体的真空度抽到1×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-11-02

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/56 申请公布日:20151118 申请日:20150721

发明专利申请公布后的驳回
2015-12-30

专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C14/56 登记生效日:20151207 变更前: 变更后: 申请日:20150721

专利申请权、专利权的转移
2015-12-16

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/56 申请日:20150721

实质审查的生效
2015-11-18

公开

公开

1. 立式单鼓常温大面积透明导电薄膜的气相沉积方法 [P] . 中国专利： CN105063568A . 2015-11-18
2. 常温多层ITO柔性基材单鼓立式连续气相沉积设备系统 [P] . 中国专利： CN105887014A . 2016-08-24
3. TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF, USING AN ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND A CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD [P] . 韩国专利： KR20100000559A . 2010-01-06

机译：透明导电薄膜及其制造方法的原子层沉积法和化学气相沉积法
4. Method for depositing amorphous silicon thin films onto large area glass substrates by chemical vapor deposition at high deposition rates [P] . 美国专利： US6444277B1 . 2002-09-03

机译：在高沉积速率下通过化学气相沉积将非晶硅薄膜沉积到大面积玻璃基板上的方法
5. METHOD FOR DEPOSITING THIN AMORPHOUS SILICON AT HIGH DEPOSITION RATE ON LARGE AREA GLASS SUBSTRATE BY CVD [P] . 日本专利： JPH06291044A . 1994-10-18

机译：化学气相沉积法在大面积玻璃基质上高沉积速率沉积稀非晶硅的方法