在通过间隔物蚀刻技术形成的沟槽中形成栅栏导体

摘要

间隔物蚀刻工艺在多个半导体裸片中产生超窄导电线。在第一电介质(212)中形成沟槽，接着将牺牲膜(222)沉积到所述第一电介质及形成于其中的沟槽表面上。从所述第一电介质的面及所述沟槽的底部移除平面牺牲膜，从而仅留下在沟槽壁上的牺牲膜(222a)。用第二电介质(212a)填充所述沟槽壁上的所述牺牲膜之间的间隙。移除所述第二电介质的一部分以暴露所述牺牲膜的顶部。移除所述牺牲膜，从而留下用导电材料(218b)填充的超细间隙。暴露所述间隙中的所述导电材料的顶部以形成“栅栏导体”。在适当位置处移除所述栅栏导体的部分及周围绝缘材料以产生包括经隔离栅栏导体的所要导体图案。