具有延伸凹陷的间隔体和源极/漏极区域的晶体管架构及其制造方法

摘要

公开了用于形成具有延伸凹陷的间隔体和源极/漏极(S/D)区域的晶体管架构的技术。在一些实施例中，可(例如)在基于鳍状物的场效应晶体管(finFET)的鳍状物的顶部中形成凹部，以使得所述凹部允许在所述finFET中形成相邻于栅极叠置体的延伸凹陷的间隔体和S/D区域。在一些情况下，此配置在所述鳍状物的顶部中提供了较高的电阻路径，这可减小所述finFET中的栅致漏极泄漏(GIDL)。在一些实施例中，可提供对GIDL的起始的精确调整。一些实施例可提供结漏(Lb)的减小和阈值电压(VT)的同时增加。在一些实施例中，所公开的技术可借助平面和非平面的基于鳍状物的架构来实施并且可用于标准金属氧化物半导体(MOS)和互补MOS(CMOS)工艺流程中。