免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺

摘要

本发明提供一种免CMP工艺的硅通孔背面漏孔工艺，包括下述步骤：S1.提供一完成正面工艺的器件晶圆；器件晶圆包括衬底和衬底中的TSV盲孔；S2.提供一载片晶圆，利用临时键合工艺将器件晶圆正面与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S3.对器件晶圆的衬底背面进行机械研磨，从而进行减薄；S4.对衬底背面进行刻蚀，使得TSV盲孔露出衬底背面；S5.在器件晶圆的衬底背面涂覆背面介质层，完全覆盖步骤S4中TSV盲孔露出部分；S6.利用机械研磨工艺处理背面介质层，使得TSV盲孔从背面介质层中露出。本发明避免了硅通孔背面露头过程中的CMP工艺，使工艺成本大幅降低，产出效率得到显著提高，同时具有背面介质层过孔的自对准效果。