基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺

摘要

本发明一种基于SiC衬底片深刻蚀光滑表面的加工工艺，涉及宽禁带半导体材料深刻蚀技术领域。其包括对衬底进行清洗；光刻图形转移技术在SiC衬底片上进行图形化；超高真空磁控溅射种子层Ni/Cr/Au，实现金属图形化；通过种子层增强衬底导电性；电镀形成微米级厚的刻蚀掩膜层Ni；衬底片与Si片粘合；使用RIE深刻蚀形成深度为72μm的圆形应变膜片；移除Si片和金属掩膜等步骤。本发明具有制备方法简单、操作流程简洁、条件可控等特点。为电子工业产品市场需求宽禁带、高击穿电场、高热导率和高饱和电子漂移速率等特性的高温、高功率、高频、低损耗器件提供技术物质基础。