感应耦合等离子体(ICP)刻蚀加工工艺生长钝化膜表面的纳米摩擦研究

摘要

在MEMS加工工艺中,利用ICP技术,交替采用钝化和腐蚀的方法进行微结构的加工和制备已经成为一种行之有效的手段,其中对钝化膜摩擦特性的研究尚不多见.在本文,采用三种不同的贴片方式,在硅基底上制备了厚度为200nm和500nm的钝化膜.利用原子力显微镜考察了样品的表面形貌、黏附力和摩擦行为.在给定的扫描尺寸范围内,样品的粗糙度在纳米量级.在小于25纳牛载荷下,测试了钝化膜的摩擦特性.同硅相比,在相同的载荷下,钝化膜的表面摩擦力均比硅的小,钝化膜的表面摩擦与表面形貌和粗糙度以及贴片方式有关.