氮化物半导体生长装置和氮化物半导体功率器件用外延晶片

摘要

根据该氮化物半导体生长装置，在含氮的原料气体的流动的从反应部(102)起上游侧的包括反应部(102)的区域，原料气体所接触的部分(气体导入部(112)、电流导入部(145)、视口部(160)等)由非铜类材料(即不含铜的材料)制成。由此，能够防止上述原料气体被铜污染。因此，能够防止上述氮化物半导体被铜污染，能够避免电子和空穴被上述氮化物半导体俘获。由此，提供能够制作能够抑制电流崩塌的氮化物半导体的氮化物半导体生长装置。