高性能静态存储器中的保持直到被存取RTA功率节省模式

摘要

本发明涉及一种用于具有保持直到被存取RTA模式的静态随机存取存储器SRAM的偏压电路。所述存储器由多个存储器阵列块(26)构成，所述多个存储器阵列块(26)各自包括8-T或10-T类型的SRAM单元、具有单独的读取及写入数据路径。偏压装置(27)包括在每一存储器阵列块(26)内，举例来说与个别列相关联，且连接在用于所述相关联列中的每一存储器单元中的交叉耦合逆变器的参考电压节点与接地节点之间。在正常操作模式中，接通与所述偏压装置并联连接的开关晶体管(29)，使得接地电压对每一单元中的所述交叉耦合逆变器进行偏压。在所述RTA模式中，关断所述开关晶体管，从而允许所述偏压装置将参考偏压升高到所述交叉耦合逆变器，从而降低由所述模式中的单元消耗的功率。