シリコン半導体の過去·現在·未来－低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI

摘要

活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。大きなコンピューティングパワーを必要としているAIを半導体チップに組み込み、工場や自動車などの実世界におけるさまざまな事象·現象に対応するためには、デバイスは低電力性と高性能という要求を同時に満たさなければならない。それを可能にするデバイスの一つとして、FD（Fully-Depleted）-SOI（Silion on Insulator）の進化系である薄膜BOX（Buried Oxide）を用いたMOSFETを紹介する。これは、SOI基板の埋め込み酸化膜を薄膜化したものであり、基板に電圧を印加することで、MOSFETの特性を使用状況に応じて、柔軟に低電力モードと高性能モードに変えられるという特徴を持っている。