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非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法

摘要

本发明涉及一种非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法。本方法采用溅射、反应溅射与射频或微波化学气相沉积法相结合的技术进行制备,所用设备包括一个或两个及以上的金属溅射靶,连接有射频或直流溅射电源;金属靶材为铬、钛、铜、铝、锰、钨、钼、铁、硅、锌、镁、锡、镍、钴、铟、锗和镓中的一种纯金属或含有其中至少一种元素的合金,采用两个或以上金属溅射靶时选用相同或不同的靶材;溅射气体为氩气或氦气;反应气体为室温下饱和蒸汽压在0.1Pa以上的有机化合物或含有氮、硅、硼、磷、硫、卤素或氧元素的化合物或氮气中的一种或两种及以上;金属基体通过样品台接有射频或微波电源,在进行溅射或反应溅射的同时,在金属基体上施加射频或微波功率。采用本方法制备梯度过渡层,可增加膜基结合力与薄膜致密度,从而提高薄膜的承载能力。

著录项

  • 公开/公告号CN102703859A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201210196791.0

  • 发明设计人 吴行阳;黄一鸣;华子恺;张建华;

    申请日2012-06-15

  • 分类号

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人何文欣

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-12-18 06:42:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-24

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/06 申请公布日:20121003 申请日:20120615

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-11-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20120615

    实质审查的生效

  • 2012-10-03

    公开

    公开

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