基于源体异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法

摘要

一种基于源体异质结的单晶体管DRAM单元及其制备方法。该方法包括以下步骤：在绝缘体上硅晶片的顶层中形成SiGe外延层；对SiGe外延层进行表面干氧氧化工艺，以形成第一导电类型SiGe区，并且该表面干氧氧化工艺一直进行到使得该第一导电类型SiGe区中的锗含量达到的摩尔比让该第一导电类型SiGe体区的价带位置高于该绝缘体上硅晶片的顶层材料的价带位置后才停止；以及在经过上述处理的绝缘体上硅晶片中形成包括源体异质结的NMOS晶体管，该NMOS晶体管即该单晶体管，其中该第一导电类型SiGe区包括体区和漏极区，该体区位于待要形成的该NMOS晶体管的栅极下方，而该漏极区位于该体区一侧且对应于该NMOS晶体管的漏区。本发明可以有效降低工作电压，同时又增大了信号裕度。