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机译:具有Si / SiGe异质结的新型基于HBT的双无电容器1T DRAM单元
School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul, Korea;
Bipolar-junction transistor (BJT); TCAD simulation; heterojunction bipolar transistor (HBT); one-transistor (1T) DRAM; retention time;
机译:垂直门Si / SiGe基于双HBT的无电容器1T DRAM单元,可在低锁存电压下延长保留时间
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