一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法

摘要

本发明公开了一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，包括：沉积NMOS器件区域的高K材料层和第一金属层，其中，所述第一金属层覆盖于所述高K材料层上方；有选择性地蚀刻所述第一金属层并为PMOS器件区域沉积第二金属层；多晶硅栅沉积之后在栅极中通过离子注入注入氟离子至PMOS器件区域；进行源漏离子注入热扩散。本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，由于在多晶硅栅沉寂之后，源漏离子注入之前，在栅极中通过离子注入注入氟离子，并通过源漏热扩散使得氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的化学键，从而有效抑制了PMOS负偏置温度不稳定性效应，简单实用。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法。

背景技术

为提高器件性能，降低栅极漏电流，高K栅电介质技术已经应用到45纳米以下节点。然而，由于高K栅电介质与硅的界面具有大量的界面态，这些界面态在半导体制程中会与氢形成不稳定的化学键，而这些不稳定的氢键在PMOS器件工作过程中会产生大量界面态，从而改变PMOS性能。使得高K栅电介质的PMOS器件具有很严重的负偏置温度不稳定性（NBTI-- Negative Bias Temperature Instability）效应，也即PMOS器件在高温和负栅压下出现的电学参数漂移现象。现有技术中一般采用下述的方法改善SiO2栅电介质PMOS器件负偏置温度不稳定性：（1）优化栅氧；（2）在生长栅氧化层之前，通过表面处理的方法引入氟；（3）在源漏离子注入时，注入氟离子或BF2。本发明能够有效改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS器件的负偏置温度不稳定性效应。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法，可以在界面处形成稳定的化学键，有效改善PMOS器件的负偏置温度不稳定性效应，简单实用。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS 负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，包括：

沉积NMOS器件区域的高K材料层和第一金属层，其中，所述第一金属层覆盖于所述高K材料层上方；

选择性地在PMOS器件区域蚀刻所述第一金属层并在PMOS器件区域沉积第二金属层；

多晶硅栅沉积之后在栅极中通过离子注入注入氟离子至PMOS器件区域；

进行源漏离子注入热扩散。

上述的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS 负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，在栅极沉积后在栅极中通过注入单质氟离子注入氟离子至PMOS器件区域。

上述的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS 负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，在栅极沉积后在栅极中通过注入含氟化合物注入氟离子至PMOS器件区域。

上述的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS 负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，所述氟离子的注入能量范围为是1 KeV至20 KeV，注入剂量范围为1E14/cm²至3 E15/cm²。

上述的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS 负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，在所述通过源漏离子注入热扩散的步骤中，使得氟离子进入高K栅极电介质层，氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的Hf-F和Si-F化学键。

本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，由于在多晶硅栅沉积之后，源漏离子注入热扩散之前，在栅极中通过离子注入技术注入氟离子，并通过源漏热扩散使得氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的化学键，从而有效抑制了PMOS 负偏置温度不稳定性效应，简单实用。

附图说明

图1为本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的一个优选实施方式的流程图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法做进一步详细的说明。

本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，包括步骤：

沉积NMOS器件区域的高K材料层和第一金属层，其中，所述第一金属层覆盖于所述高K材料层上方；

有选择性地蚀刻所述第一金属层并为PMOS器件区域沉积第二金属层；

多晶硅栅沉积之后在栅极中通过离子注入注入氟离子至PMOS器件区域；

进行源漏离子注入热扩散。

如图1所示，在一个优选的实施方式中，本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，执行以下的步骤顺序：

步骤S1：沉积NMOS器件区域1的高K材料层101和第一金属层102，其中，所述第一金属层102覆盖于所述高K材料层101上方；

步骤S2：选择性地在PMOS器件区域2蚀刻所述第一金属层并在PMOS器件区域2沉积第二金属层；

所述第一金属层102并在PMOS器件区域2沉积第二金属层201；

在此步骤中，通过研磨图形化第一金属层102，使之仅覆盖于NMOS器件区域1之上，并在高K材料层101和图形化后的第一金属层102的基础上进一步沉积第二金属层201。

步骤S3：多晶硅删沉积之后在栅极中通过离子注入注入氟离子至PMOS器件区域2；

经过步骤S2后图形化第二金属层201并刻蚀之后，且在源漏离子注入热处理之前, 在栅极中通过离子注入技术，注入单质氟离子或含氟化合物如BF2到PMOS器件区域2。其中，氟离子的注入能量范围是1 KeV至20 KeV，其中的eV表示基元电荷在移动到比原位置电势低1V位置处时电场力所做的功；离子注入剂量范围为1E14/cm²至3 E15/cm²，也即是1×10¹⁴/cm²至3×10¹⁵/cm^2.的范围。

步骤S4：进行源漏离子注入热扩散。

通过此步骤中所进行的源漏离子注入热扩散，使得氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的Hf-F和Si-F化学键，这种化学键在PMOS器件工作中不容易产生界面态. 从而改善了PMOS的负偏置温度不稳定性效应。

本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，由于在多晶硅栅沉积之后，源漏离子注入之前，在栅极中通过离子注入技术注入氟离子，并通过源漏热扩散使得氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的化学键，从而有效抑制了PMOS 负偏置温度不稳定性效应，简单实用。

应当指出的是，上述内容只是本发明的最佳实施方式的列举，其中未尽详细描述的部分，应该理解为用本技术领域的一般方式予以实施。同时，对于本领域的一般技术人员来说，在不偏离本发明的精神范畴内对本发明所做的等效变换和修饰，都将落入本发明的权利要求的保护范围之内。