一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法

摘要

本发明公开了一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法，其中，包括：沉积NMOS器件区域的高K材料层和第一金属层，其中，所述第一金属层覆盖于所述高K材料层上方；有选择性地蚀刻所述第一金属层并为PMOS器件区域沉积第二金属层；多晶硅栅沉积之后在栅极中通过离子注入注入氟离子至PMOS器件区域；进行源漏离子注入热扩散。本发明的一种改善先栅极工艺中高K栅电介质PMOS负偏置温度不稳定性的方法，由于在多晶硅栅沉寂之后，源漏离子注入之前，在栅极中通过离子注入注入氟离子，并通过源漏热扩散使得氟离子在HfO2/SiO2和SiO2/Si界面处分别形成较稳定的化学键，从而有效抑制了PMOS负偏置温度不稳定性效应，简单实用。