包括弛豫衬里的栅控二极管结构和方法

摘要

一种栅控二极管结构和用于在SOI衬底(10)上制造栅控二极管结构的方法，使用弛豫衬里(34’)，该弛豫衬里源自在与栅控二极管结构同时形成的场效应晶体管中典型地使用的应力衬里(34)。通过对应力衬里(34)的诸如离子注入处理的处理而形成所述弛豫衬里。所述弛豫衬里与应力衬里相比改善了栅控二极管理想度而没有对栅控二极管的任何损害，而在使用反应离子蚀刻方法从栅控二极管剥离应力衬里则会发生对栅控二极管的损害。