法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-04
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05F1/567 申请公布日:20111123 申请日:20100520
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-03-14
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20100520
实质审查的生效
2011-11-23
公开
公开
机译: 在标准三阱CMOS工艺中使用垂直双极结型晶体管作为电流源的电路,以改善低频电压控制振荡器的相位噪声特性
机译: 高性能PNP双极器件,与CMOS工艺完全兼容
机译: 高性能PNP双极器件,与CMOS工艺完全兼容