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一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源

摘要

本发明属集成电路技术领域,具体为一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源。它由四个NMOS管、两个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器,并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同,其余的四个NMOS管、两个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。

著录项

  • 公开/公告号CN102129264A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110021157.9

  • 发明设计人 成杨;廖泽鑫;赵喆;周锋;

    申请日2011-01-19

  • 分类号G05F1/567;

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-18 02:56:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05F1/567 申请公布日:20110720 申请日:20110119

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-12-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/567 申请日:20110119

    实质审查的生效

  • 2011-07-20

    公开

    公开

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