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制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法

摘要

本发明提供一种制造晶片层合体的方法、一种用于制造晶片层合体的装置、一种晶片层合体、一种剥离支撑体的方法以及一种制造晶片的方法,其均能够改善晶片反面的磨削特性。一种方法包括将晶片(2)吸到位于上方的晶片吸附台上,将支撑体(3)吸到位于下方的支撑体吸附台上,并将所述晶片和所述支撑体设置为在竖直方向上彼此相对(2)和所述支撑体(3);将液态粘合剂树脂施加到与所述晶片(2)相对的所述支撑体(3)的相对面上,以用于形成粘合剂层;在维持两者间的平行性的同时使所述晶片(2)和所述支撑体(3)彼此靠近,并向介于两者间的粘合剂树脂施加压力并使所述粘合剂树脂铺展开,从而用所述粘合剂树脂填充所述晶片(2)和所述支撑体(3)之间的空间,并在所述晶片的外周上形成树脂突出部分(4a)。

著录项

  • 公开/公告号CN102197470A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 3M创新有限公司;

    申请/专利号CN200980142450.1

  • 发明设计人 秋山良太;中岛伸哉;齐藤一太;

    申请日2009-08-27

  • 分类号H01L21/68;H01L21/283;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人梁晓广

  • 地址 美国明尼苏达州

  • 入库时间 2023-12-18 03:17:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-04-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/68 申请公布日:20110921 申请日:20090827

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/68 申请日:20090827

    实质审查的生效

  • 2011-09-21

    公开

    公开

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