首页> 外文OA文献 >Characterization of germanium/silicon p-n junction fabricated by low temperature direct wafer bonding and layer exfoliation
【2h】

Characterization of germanium/silicon p-n junction fabricated by low temperature direct wafer bonding and layer exfoliation

机译:通过低温直接晶片键合和层剥离制造的锗/硅p-n结的表征

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