公开/公告号CN102169818A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 罗门哈斯电子材料有限公司;
申请/专利号CN201010625130.6
申请日2010-12-17
分类号H01L21/02(20060101);C11D1/835(20060101);C11D3/04(20060101);C11D3/60(20060101);C11D7/08(20060101);C11D7/10(20060101);C11D7/26(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人项丹
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2023-12-18 03:13:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-06
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/02 登记生效日:20160616 变更前: 变更后: 申请日:20101217
专利申请权、专利权的转移
2013-12-11
授权
授权
2011-10-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20101217
实质审查的生效
2011-08-31
公开
公开
机译: 在半导体衬底上形成纹理化表面的方法和在纹理化表面上的隧穿氧化物层
机译: 在由半导体材料制成的衬底的表面上形成金属导体图案,包括提供半导体材料的离散的纹理化区域,以及对金属种子层和金属层进行电镀沉积
机译: 改进用于载体衬底和半导体芯片布置的材料的热和机械特性的改进方法,涉及引入材料以使芯片位于衬底下方