首页> 中国专利> 纹理化半导体衬底的改进方法

纹理化半导体衬底的改进方法

页面导航

摘要

本发明涉及纹理化半导体衬底的改进方法，提供了一种清洁半导体衬底的方法，包括：a)用碱性或酸性的硅蚀刻溶液清洁半导体衬底；b)用包含一种或多种氧化剂的氧化组合物氧化清洁后的半导体衬底表面，该氧化组合物具有大于7的pH值；以及c)纹理化该氧化的半导体衬底。纹理化的半导体可用于光电器件的制造。

公开/公告号CN102169818B

专利类型发明专利
公开/公告日2013-12-11

原文格式PDF
申请/专利权人罗门哈斯电子材料有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201010625130.6
发明设计人 R·K·巴尔;C·欧康纳;
展开▼

申请日2010-12-17
分类号H01L21/02(20060101);C11D1/835(20060101);C11D3/04(20060101);C11D3/60(20060101);C11D7/08(20060101);C11D7/10(20060101);C11D7/26(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人项丹
地址美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 09:17:11

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-06

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20160616 变更前: 变更后: 申请日:20101217

专利申请权、专利权的转移
2013-12-11

授权

授权
2011-10-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101217

实质审查的生效
2011-08-31

公开

公开

1. 纹理化半导体衬底的改进方法 [P] . 中国专利： CN102169818B . 2013.12.11
2. 纹理化硅衬底表面的方法和用于太阳能电池的纹理化的硅衬底 [P] . 中国专利： CN102625955B . 2015.11.25
3. Method for forming a textured surface on a semiconductor substrate and a tunneling oxide layer on the textured surface [P] . 美国专利： US6165844A . 2000-12-26

机译：在半导体衬底上形成纹理化表面的方法和在纹理化表面上的隧穿氧化物层
4. Texturing procedure of the surface of a silicon substrate and textured silicon substrate for solar cell [P] . ES2716503T3 . 2019-06-12

机译：太阳能电池用硅衬底和纹理化硅衬底表面的纹理化程序
5. "Surface texturing process of a gas phase silicon substrate and solar cell textured silicon substrate." [P] . BR112012004116A2 . 2016-03-15

机译： “气相硅衬底和太阳能电池纹理化硅衬底的表面纹理化工艺。”