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砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管

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本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。以上六种超辐射发光二极管具有波长短、功率大、光谱宽等特点。

著录项

公开/公告号CN102136534A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-07-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201110041984.4
发明设计人梁德春;李新坤;金鹏;王占国;
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申请日2011-02-22
分类号H01L33/02;H01L33/06;H01L33/30;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 02:51:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-02

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/02 申请公布日:20110727 申请日:20110222

发明专利申请公布后的驳回
2011-09-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/02 申请日:20110222

实质审查的生效
2011-07-27

公开

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