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短波长宽光谱超辐射发光二极管

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摘要

采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱.利用大光腔结构制作出高功率、宽光谱、低发散角850nm短波长超辐射发光二极管,在120mA时器件半峰宽可达26nm,室温下连续输出功率达到6mW.与单模保偏光纤耦合输出功率达到1.0mW.

著录项

来源
《第十七届全国激光学术会议》|2005年|23-25|共3页
会议地点四川绵阳
作者
李辉; 曲轶; 张晶; 高欣; 薄报学; 刘国军;
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作者单位

中国电子学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类固体激光器;
关键词
激光技术; 超辐射; 发光二极管; 非均匀阱宽多量子阱;

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