Влияние режима сверхизлучения на ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs

摘要

Экспериментально исследовано ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режимах лазерной генерации, а также генерации фемтосекундных импульсов сверхизлучения. Продемонстрировано в явном виде, что, в отличие от лазерной генерации, в режиме сверхизлучения отсутствуют такие явления, как самофокусировка, нестабильность и деформация ближнего и дальнего полей излучения. Наблюдаемые явления могут быть объяснены свойствами когерентного кооперативного электронно-дырочного состояния, обнаруженного ранее.