机译:高温量子点的InAs /砷化镓/的InGaAsP的具有约1.5微米,这是在基片上合成的波长的激光特性的磷化铟
Академический университет Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
DTU Fotonics Technical University of Denmark Kgs. Lyngby DK-2800 Denmark;
DTU Fotonics Technical University of Denmark Kgs. Lyngby DK-2800 Denmark;
DTU Fotonics Technical University of Denmark Kgs. Lyngby DK-2800 Denmark;
Академический университет Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Академический университет Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Академический университет Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
机译:在INAS / GAAS / INGAASP QD激光器的高特色温度,发射波长在INP衬底上的发射波长为1.5μm
机译:InGaAsP / InP(001)上的InAs纳米结构:InAs量子点形成与InGaAsP分解的相互作用
机译:InGaAsP / InP(001)上的InAs纳米结构:InAs量子点形成与InGaAsP分解的相互作用
机译:加宽的波导,低损耗1.5 / spl mu / m InGaAsP / InP和2 / spl mu / m InGaAsSb / AlGaAsSb激光二极管
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:1.5μmInas/ InGaasp / Inp量子点激光器,具有改善的温度稳定性
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学