公开/公告号CN101944147A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201010278666.5
发明设计人 余泳;
申请日2010-09-10
分类号G06F17/50(20060101);
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-18 01:22:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20110112 申请日:20100910
发明专利申请公布后的视为撤回
2014-06-11
专利申请权的转移 IPC(主分类):G06F17/50 变更前: 变更后: 登记生效日:20140516 申请日:20100910
专利申请权、专利权的转移
2013-02-13
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20100910
实质审查的生效
2011-01-12
公开
公开
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件,多极型双极结型晶体管的制造方法和双极CMOS DMOS器件的制造方法
机译: 多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法