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一种可提高击穿电压的LDMOS器件及其制造方法

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本发明提供了一种可提高击穿电压的LDMOS器件及其制造方法。现有技术中仅利用LDMOS本身的结构来单次符合RESURF原理无法满足进一步提高LDMOS击穿电压的需求。本发明可提高击穿电压的LDMOS器件包括漏极和漏极漂移区，该漏极漂移区中具有与其掺杂类型相反的反型块。本发明可通过双次符合RESURF原理来使漏极漂移区的电场更加水平均匀分布，在不提高器件尺寸的前提下有效提高了击穿电压。

著录项

公开/公告号CN101800247A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-11

原文格式PDF
申请/专利权人上海宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201010123717.7
发明设计人王颢;令海洋;叶滋婧;刘龙平;陈爱军;
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申请日2010-03-12
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-18 00:31:18

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-03-23

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20100811 申请日:20100312

发明专利申请公布后的驳回
2014-06-11

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20140514 申请日:20100312

专利申请权、专利权的转移
2012-10-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20100312

实质审查的生效
2010-08-11

公开

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