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制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备

摘要

一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备,涉及薄膜晶体管的技术领域,所解决的是现有技术的薄膜会晶化不均匀或受污染,以及制造成本高的技术问题。制造方法利用电子枪发射的电子束冲击非晶硅薄膜表面,使高速的电子能量转化为热能对非晶硅薄膜局部加热,通过对加热温度和时间的控制使该处微晶硅晶化,并通过控制电子束扫描整张非晶硅薄膜,从而将其晶化为微晶硅薄膜。制造设备包括设置于真空腔内的用于发射电子束电子枪、用于将电子束聚焦于被加工工件上的电子束聚焦电极、用于控制电子束偏转以扫描被加工工件的电场偏转电极。利用本发明提供的方法及设备,所制造的硅薄膜晶化均匀、制造过程中硅薄膜不会受污染,且能降低制造成本。

著录项

  • 公开/公告号CN101752230A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海广电电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200810204187.1

  • 发明设计人 陈科;张羿;

    申请日2008-12-09

  • 分类号H01L21/20;

  • 代理机构上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人吴宝根

  • 地址 200060 上海市普陀区长寿路97号

  • 入库时间 2023-12-18 00:22:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/20 申请公布日:20100623 申请日:20081209

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-02-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20081209

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

    公开

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