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(110)取向P沟道具有高K栅极电介质的沟槽型MOSFET

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一种半导体器件，具有覆在金属衬底之上的重掺杂p型(110)半导体层。该半导体器件还包括：第一金属层和覆在第一金属层之上的第一p型半导体层。所述第一p型半导体层是重掺杂的，并且具有(110)的表面晶向，且特征在于第一电导率。第二p型半导体层覆在第一p型半导体层之上，且具有(110)的表面晶向以及低于第一电导率的第二电导率；栅极介电层，具有高介电常数材料，所述栅极介电层沿着第二p型半导体层中的(110)晶面布置。第二金属层覆在第二p型半导体层之上。在第一金属层和第二金属层之间的电流传导的特征在于沿着晶向和在(110)晶面上的空穴迁移率。

著录项

公开/公告号CN101673766A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-03-17

原文格式PDF
申请/专利权人飞兆半导体公司;
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申请/专利号CN200910170816.8
发明设计人塔特·恩盖;王琦;
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申请日2009-09-09
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/04(20060101);H01L21/283(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址美国缅因州
入库时间 2023-12-17 23:44:22

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20100317 申请日:20090909

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-09-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20090909

实质审查的生效
2010-03-17

公开

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