具有改良的剂量控制的多阶等离子体掺杂

摘要

一种多阶等离子体掺杂基板的方法包括点燃来自处理气体的等离子体。建立第一等离子体状态来执行第一等离子体掺杂步骤。给基板加偏压，使得具有第一等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第一剂量。第一等离子体状态过渡到第二等离子体状态。给基板加偏压，使得具有第二等离子体状态的等离子体中的离子撞击基板的表面，从而使基板暴露于第二剂量。选定第一和第二等离子体状态使得第一和第二剂量相结合，以实现在基板的至少一部分上的预定剂量分配。