用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备

摘要

本申请案揭示一种用于消除具有掺杂等离子体的钉扎层的像素中的滞后的工艺及其设备。本发明涉及一种工艺的实施例，所述工艺包含在衬底的表面上在光敏区域上方、转移栅极上表面上方及至少所述转移栅极最靠近所述光敏区域的侧壁上方沉积牺牲层，所述牺牲层具有选定的厚度。光致抗蚀剂层被沉积在所述牺牲层上方，所述光致抗蚀剂层经图案化及蚀刻以在所述光敏区域及所述转移栅极上表面的至少一部分上方暴露所述衬底的所述表面，从而在所述转移栅极最靠近所述光敏区域的所述侧壁上留下牺牲间隔片。所述衬底经等离子体掺杂以在所述光敏区域与所述衬底的所述表面之间形成钉扎层。所述钉扎层与所述转移栅极的所述侧壁之间的间隔大体上对应于所述牺牲间隔片的厚度。本发明揭示且主张其它实施例。